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SIA922EDJ-T4-GE3 /MOSFET N-CH 30V SMD
SIA922EDJ-T4-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列TrenchFET®

零件状态停產

FET 类型2 N-通道(双)

FET 功能标准

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4.4A(Ta),4.5A(Tc)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)64 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-

功率 - 最大值1.9W(Ta),7.8W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 双

供应商SIA922EDJ-T4-GE3
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