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SIA915DJ-T4-GE3 /MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
SIA915DJ-T4-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列TrenchFET®

零件状态停產

FET 类型2 个 P 沟道(双)

FET 功能标准

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.7A(Ta),4.5A(Tc)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)87 毫欧 @ 2.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)275pF @ 15V

功率 - 最大值1.9W(Ta),6.5W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 双

供应商SIA915DJ-T4-GE3
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