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SIA921EDJ-T4-GE3 /MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA921EDJ-T4-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:20 ns

供应商SIA921EDJ-T4-GE3
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SIA921EDJ-T4-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.71
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SIA921EDJ-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-701:¥4.9946
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