驱动配置：半桥

通道类型：同步

驱动器数：4

栅极类型：N 沟道 MOSFET

电压 - 电源：14.5 V ~ 17.5 V

逻辑电压 - VIL，VIH：1V，4V

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：40V

上升/下降时间（典型值）：110ns，50ns

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装：24-SOIC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs