FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V, 3.7V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 8V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF @ 6V

功率耗散（最大值）：900mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 1.5A, 3.7V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：4-MICRO FOOT®（0.8x0.8）

封装/外壳：4-XFBGA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs