系列：TrenchFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 8V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：4-XFBGA
封装形式Package：MicroFoot-4
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：2.6A
漏源极导通电阻RDS(ON)：90mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs