SI8810EDB-T2-E1的供应商，SI8810EDB-T2-E1规格参数，SI8810EDB-T2-E1的PDF资料

SI8810EDB-T2-E1 /Vishay Siliconix/分立半导体产品

SI8810EDB-T2-E1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：72 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：8nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：245pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA

供应商器件封装：4-Microfoot

其它名称：SI8810EDB-T2-E1TR

SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
集好芯城	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312	朱先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SI8810EDB-T2-E1	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
上海山峻电子有限公司	SI8810EDB-T2-E1	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价

SI8810EDB-T2-E1及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI8810EDB-T2-E1	MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8	Vishay / Siliconix	152.28 Kbytes	共8页	无
SI8810EDB-T2-E1	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	Vishay Siliconix	149.45 Kbytes	共8页	无
SI8810EDB-T2-E1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：72mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道	VISHAY(威世)	151.15 Kbytes	共8页	无

SI8810EDB-T2-E1的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SI8810EDB-T2-E1	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V .072ohm@4.5V 2.9A N-Ch	3000+:￥0.96 6000+:￥0.9 15000+:￥0.8399 30000+:￥0.77 75000+:￥0.74 150000+:￥0.711+:￥3.0099 10+:￥2 100+:￥1.23 500+:￥1.11 1000+:￥0.95 3000+:￥0.88 6000+:￥0.86 9000+:￥0.86 24000+:￥0.791+:￥1.03
Digi-Key 得捷电子	SI8810EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	$0.51000
Digi-Key 得捷电子	SI8810EDB-T2-E1	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V .072ohm@4.5V 2.9A N-Ch	3000+:￥0.96 6000+:￥0.9 15000+:￥0.8399 30000+:￥0.77 75000+:￥0.74 150000+:￥0.71
Mouser 贸泽电子	SI8810EDB-T2-E1	Vishay / Siliconix	MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8	1:¥4.0002 10:¥2.7233 100:¥1.8419 500:¥1.4803 3,000:¥1.01474 6,000:查看
Mouser 贸泽电子	SI8810EDB-T2-E1	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V .072ohm@4.5V 2.9A N-Ch	3000+:￥0.96 6000+:￥0.9 15000+:￥0.8399 30000+:￥0.77 75000+:￥0.74 150000+:￥0.711+:￥3.0099 10+:￥2 100+:￥1.23 500+:￥1.11 1000+:￥0.95 3000+:￥0.88 6000+:￥0.86 9000+:￥0.86 24000+:￥0.79
立创商城	SI8810EDB-T2-E1	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：72mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道	1+:￥3.26 10+:￥2.4 30+:￥2.25 100+:￥2.09 500+:￥2.02 1000+:￥1.99

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