SI8817DB-T2-E1的供应商，SI8817DB-T2-E1规格参数，SI8817DB-T2-E1的PDF资料

SI8817DB-T2-E1 /MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8817DB-T2-E1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:MicroFoot-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:61 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:900 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.65 mm

长度:1.6 mm

系列:SI8

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:52 ns

典型接通延迟时间:20 ns

SI8817DB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	SI8817DB-T2-E1	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI8817DB-T2-E1	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
集好芯城	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市铭科源电子有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市新华强电子世界Q3B037	0755-82503204 13670017571	郭	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI8817DB-T2-E1	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价

SI8817DB-T2-E1及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI8817DB-T2-E1	MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8	Vishay / Siliconix	155.28 Kbytes	共9页	无
SI8817DB-T2-E1	MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT	Vishay Siliconix	154.70 Kbytes	共9页	无
SI8817DB-T2-E1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：76mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道	VISHAY(威世)	148.83 Kbytes	共9页	无

SI8817DB-T2-E1的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SI8817DB-T2-E1	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III	1+:￥3.56 10+:￥2.9901 25+:￥2.63 100+:￥2.25 250+:￥1.95 500+:￥1.6501 1000+:￥1.281+:￥2.72 10+:￥2.03 100+:￥1.51 500+:￥1.28 1000+:￥1.13 3000+:￥1.08 6000+:￥1.08 9000+:￥0.9901 24000+:￥0.961+:￥1.1799
Digi-Key 得捷电子	SI8817DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT	$0.49000
Digi-Key 得捷电子	SI8817DB-T2-E1	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III	1+:￥3.56 10+:￥2.9901 25+:￥2.63 100+:￥2.25 250+:￥1.95 500+:￥1.6501 1000+:￥1.28
Mouser 贸泽电子	SI8817DB-T2-E1	Vishay / Siliconix	MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8	1:¥3.7629 10:¥2.8476 100:¥2.1131 500:¥1.7402 1,000:¥1.3447 3,000:¥1.3108
Mouser 贸泽电子	SI8817DB-T2-E1	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III	1+:￥3.56 10+:￥2.9901 25+:￥2.63 100+:￥2.25 250+:￥1.95 500+:￥1.6501 1000+:￥1.281+:￥2.72 10+:￥2.03 100+:￥1.51 500+:￥1.28 1000+:￥1.13 3000+:￥1.08 6000+:￥1.08 9000+:￥0.9901 24000+:￥0.96
立创商城	SI8817DB-T2-E1	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：76mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道	1+:￥3.51 10+:￥3.42 30+:￥3.36 100+:￥3.15

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