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SI8808DB-T2-E1 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI8808DB-T2-E1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 1A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):330pF @ 15V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-UFBGA

供应商器件封装:4-Microfoot

其它名称:SI8808DB-T2-E1TRSI8808DBT2E1

供应商SI8808DB-T2-E1
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI8808DB-T2-E1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SI8808DB-T2-E1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI8808DB-T2-E1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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深圳市星宇佳科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳诚思涵科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市惊羽科技有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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深圳市金华微盛电子有限公司SI8808DB-T2-E1深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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深圳市威雅利发展有限公司SI8808DB-T2-E1华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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SI8808DB-T2-E1MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO146.10 Kbytes共8页SI8808DB-T2-E1的PDF下载地址
SI8808DB-T2-E1MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOTVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO143.27 Kbytes共8页SI8808DB-T2-E1的PDF下载地址
SI8808DB-T2-E1漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO144.99 Kbytes共8页SI8808DB-T2-E1的PDF下载地址
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6000+:¥1.02
15000+:¥0.96
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150000+:¥0.851+:¥2.6701
10+:¥1.97
100+:¥1.47
500+:¥1.24
1000+:¥1.09
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6000+:¥1.04
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SI8808DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT$0.47000
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Mouser 贸泽电子
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6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥1.97
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立创商城
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