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SI8816EDB-T2-E1 /Si8816EDB Series N-Channel 30 V 0.109 Ohm Surface Mount Power Mosfet -MICRO FOOT
SI8816EDB-T2-E1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：195pF @ 15V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：109 毫欧 @ 1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA

封装形式Package：MicroFoot-4

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：2.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：109mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：0.6Vto1.4V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI8816EDB-T2-E1
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI8816EDB-T2-E1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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万三科技（深圳）有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SI8816EDB-T2-E1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
上海山峻电子有限公司SI8816EDB-T2-E1上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
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SI8816EDB-T2-E1MOSFET 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO155.47 Kbytes共8页SI8816EDB-T2-E1的PDF下载地址无
SI8816EDB-T2-E1MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOTVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO152.64 Kbytes共8页SI8816EDB-T2-E1的PDF下载地址无
SI8816EDB-T2-E1连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：109mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO154.34 Kbytes共8页SI8816EDB-T2-E1的PDF下载地址无
SI8816EDB-T2-E1的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI8816EDB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:￥1.04
6000+:￥0.9901
15000+:￥0.92
30000+:￥0.8399
75000+:￥0.81
150000+:￥0.781+:￥3.25
10+:￥2.17
100+:￥1.34
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24000+:￥0.865+:￥3.49
25+:￥1.73
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500+:￥1.5199
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2000+:￥1.271+:￥1.12
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI8816EDB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:￥1.04
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI8816EDB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:￥1.04
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15000+:￥0.92
30000+:￥0.8399
75000+:￥0.81
150000+:￥0.78
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT$0.56000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI8816EDB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:￥1.04
6000+:￥0.9901
15000+:￥0.92
30000+:￥0.8399
75000+:￥0.81
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9000+:￥0.94
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI8816EDB-T2-E1Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.81:¥4.3844
10:¥2.9606
100:¥2.0001
500:¥1.6046
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI8816EDB-T2-E1VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 109mOhm@10V 2.3A N-Ch3000+:￥1.04
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI8816EDB-T2-E1VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：109mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道1+:￥3.25
10+:￥2.4
30+:￥2.24
100+:￥2.09
500+:￥2.02
1000+:￥1.98
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