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SI7884BDP-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7884BDP-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):77nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3540pF @ 20V

功率 - 最大值:46W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

其它名称:SI7884BDP-T1-E3-NDSI7884BDP-T1-E3TRSI7884BDPT1E3

供应商SI7884BDP-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI7884BDP-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI7884BDP-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7884BDP-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SI7884BDP-T1-E3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO310.36 Kbytes共13页SI7884BDP-T1-E3的PDF下载地址
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