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SI6410DQ / MOSFET 30V/20V NCh MOSFET
SI6410DQ的规格信息
SI6410DQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:7.8 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single Triple Drain Quad Source

下降时间:8 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:8 ns

系列:SI6410

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:20 mg

供应商SI6410DQ
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深圳市宸远科技有限公司SI6410DQ-T1-E3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798,15338712396
彭先生,许娜Email:3004325620@qq.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI6410DQ-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城SI6410DQ深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI6410DQ-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI6410DQ-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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SI6410DQN-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO194.85 Kbytes共10页SI6410DQ的PDF下载地址
SI6410DQ-T1-E3MOSFET N-CH 30V 8TSSOPVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO78.13 Kbytes共5页SI6410DQ-T1-E3的PDF下载地址
SI6410DQ-T1-E3MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.011Ohm,ID+/-7.8A,TSSOP-8,PD 1.5W,VGS+/-20VSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO78.13 Kbytes共5页SI6410DQ-T1-E3的PDF下载地址
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SI6410DQFairchild Semiconductor Corporation 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET269 : $1.04
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