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SI4835DDY /连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W(Tc) 类型:P沟道
SI4835DDY的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)11.6A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻12.5mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)5.6W(Tc)

类型P沟道

供应商SI4835DDY
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4835DDYwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4835DDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳亿恒升电子有限公司SI4835DDY-T1-E3都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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深圳市微碧半导体有限公司SI4835DDY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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集好芯城SI4835DDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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深圳市天卓伟业电子有限公司Si4835DDY深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司Si4835DDY航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4835DDY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4835DDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市兴中芯科技有限公司SI4835DDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4835DDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4835DDY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市大源实业科技有限公司SI4835DDY-T1-E3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI4835DDY-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4835DDY-T1-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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SI4835DDY的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI4835DDY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC+2500:$1.08
+5000:$1.03
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Allied Electronics
SI4835DDY-T1-GE3Siliconix / VishaySI4835DDY-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 10.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC+2500:$1.08
+5000:$1.03
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Am2
SI4835DDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V2500+:¥2.68
5000+:¥2.54
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Am2
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ChipOneStop
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ChipOneStop
SI4835DDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V2500+:¥2.68
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Digi-Key 得捷电子
SI4835DDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V2500+:¥2.68
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62500+:¥2.3
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Digi-Key 得捷电子
SI4835DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 13A 8SO$1.11000
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Digi-Key 得捷电子
SI4835DDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V2500+:¥2.68
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25000+:¥2.38
62500+:¥2.3
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Future(富昌)
SI4835DDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V2500+:¥2.68
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Future(富昌)
SI4835DDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V2500+:¥2.68
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Mouser 贸泽电子
SI4835DDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V2500+:¥2.68
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Mouser 贸泽电子
SI4835DDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-81:¥9.605
10:¥7.91
100:¥6.102
500:¥5.2432
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
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Mouser 贸泽电子
SI4835DDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V2500+:¥2.68
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12500+:¥2.44
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Mouser 贸泽电子
SI4835DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-81:¥9.6841
10:¥7.9891
100:¥6.102
500:¥5.2432
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
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Verical
SI4835DDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V2500+:¥2.68
5000+:¥2.54
12500+:¥2.44
25000+:¥2.38
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100+:¥4.1
250+:¥4
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI4835DDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V2500+:¥2.68
5000+:¥2.54
12500+:¥2.44
25000+:¥2.38
62500+:¥2.31+:¥6.49
10+:¥5.25
100+:¥4.0299
500+:¥3.56
1000+:¥3.48
2500+:¥3.32
5000+:¥3.19
10000+:¥3.11
25000+:¥3.00992500+:¥1.62500+:¥1.851+:¥1.831+:¥1.49
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SI4835DDYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.3516
10+:¥0.9988
30+:¥0.934
100+:¥0.8691
500+:¥0.8403
1000+:¥0.8261
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立创商城
SI4835DDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.92
10+:¥2.2
30+:¥2.07
100+:¥1.8818
500+:¥1.8236
1000+:¥1.7945