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SI1958DH-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1958DH-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.3A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):205 毫欧 @ 1.3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):105pF @ 10V

功率 - 最大值:1.25W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)

其它名称:SI1958DH-T1-E3TRSI1958DHT1E3

供应商SI1958DH-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI1958DH-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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”13725596657“17503034873
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SI1958DH-T1-E3Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO122.42 Kbytes共7页SI1958DH-T1-E3的PDF下载地址SI9956DY,SI1024X_08,SI7900AEDN,SI1902DL_08,SI6862DQ,SI1912EDH_08,SI5945DU,SI1034X_05,SI1058X_08,SI1913EDH_08
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SI1958DH-T1-E3Siliconix / VishayDUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET+3000:$0.32
+6000:$0.30
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SI1958DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6Obsolete
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SI1958DH-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S)1+:¥1.8399
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element14 Asia-Pacific
SI1958DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET, DUAL, N, SC-70
RoHS : Compliant
1 : ?733.0
10 : ?641.0
25 : ?565.0
100 : ?493.0
250 : ?429.0
500 : ?365.0
1,000 : ?293.0
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SI1958DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET, DUAL, N, SC-70
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250 : $0.382
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