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SI1905BDH-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1905BDH-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):630mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):542 毫欧 @ 580mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):62pF @ 4V

功率 - 最大值:357mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)

供应商SI1905BDH-T1-E3
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集好芯城SI1905BDH-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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”13725596657“17503034873
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SI1905BDH-T1-E3Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO142.21 Kbytes共7页SI1905BDH-T1-E3的PDF下载地址SI1013R_08,SI1305DL_08,SI1305EDL,SI1307EDL,SI6467DQ,SI1405BDH,SI9933BDY,SI9934DY,SI3445DV,SI1305DL_05
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100+:¥1.26
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SI1905BDH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6Obsolete
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SI1905BDH-T1-E3Vishay SiliconixP CHANNEL MOSFET -8V SC-70
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