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SI1902DL-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1902DL-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：660mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：385 毫欧 @ 660mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：270mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-70-6（SOT-363）

其它名称：SI1902DL-T1-GE3TRSI1902DLT1GE3

供应商SI1902DL-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI1902DL-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI1902DL-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SI1902DL-T1-GE3Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO237.53 Kbytes共9页SI1902DL-T1-GE3的PDF下载地址无
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