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SI1905DL-T1-E3/BKN /MOSFET; Dual P-CH 1.8V (G-S) Trench
SI1905DL-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeP

ConfigurationSingle

Dimensions2.2 x 1.35 x 1 mm

Drain Current±0.57 A

Drain to Source On Resistance1.2 Ω

Drain to Source Voltage-8 V

Forward Transconductance1.2 S

Forward Voltage, Diode-1.2 V

Gate to Source Voltage±8 V

Height0.039" (1mm)

Junction to Ambient Thermal Resistance400 °C/W

Length0.086" (2.2mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip2

Number of Pins6

Operating Temperature-55 to 150 °C

Package TypeSC-70

PolarizationP-Channel

Power Dissipation0.27 W

SeriesSI19 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge1.5 nC

Turn Off Delay Time10 ns

Turn On Delay Time6 ns

Typical Gate Charge @ Vgs1.5 nC @ -4.5 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source-8 V

Width0.053" (1.35mm)

供应商SI1905DL-T1-E3/BKN
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