制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:370 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:510 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2.1 mm

系列:SI1

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:159 mS

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:6.5 ns

零件号别名:SI1926DL-E3

单位重量:7.500 mg