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SI1900DL-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-6
SI1900DL-T1-GE3的规格信息
SI1900DL-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:630 mA

Rds On-漏源导通电阻:480 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2.1 mm

系列:SI1

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:0.75 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:7.500 mg

供应商SI1900DL-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI1900DL-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI1900DL-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市辰芯伟业科技有限公司SI1900DL-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI1900DL-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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Mouser 贸泽电子		SI1900DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-61:¥4.7686
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