SE6080A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道
SE6080A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)110W
类型N沟道
SE6080A
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SE6080A | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 437.54 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
SE6080A的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE6080A | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道 | 1+:¥1.9742 10+:¥1.4844 30+:¥1.3944 100+:¥1.3044 500+:¥1.2645 1000+:¥1.2447
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