SE60210GA
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
SE60210GA的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）210A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W
类型N沟道
SE60210GA
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| SE60210GA | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 368.48 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SE60210GA的全球分销商及价格
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立创商城 | SE60210GA | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 | 1+:￥3.93
10+:￥2.94
30+:￥2.76
100+:￥2.58
500+:￥2.5
1000+:￥2.46
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