SE60120B
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道
SE60120B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）120A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）200W
类型N沟道
SE60120B
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| SE60120B | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 509.45 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SE60120B的全球分销商及价格
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立创商城 | SE60120B | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道 | 1+:￥2.45
10+:￥1.85
30+:￥1.74
100+:￥1.63
500+:￥1.58
1000+:￥1.56
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