SE6020DB
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W 类型:N沟道
SE6020DB的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻30mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W
类型N沟道
SE6020DB
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SE6020DB | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 466.69 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE6020DB | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8996 10+:¥0.6497 30+:¥0.6038 100+:¥0.5579 500+:¥0.5375 1000+:¥0.5274
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