SE6050B
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W 类型：N沟道
SE6050B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）50A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻15mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）80W
类型N沟道
SE6050B
SE6050B及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SE6050B | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 430.37 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SE6050B的全球分销商及价格
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立创商城 | SE6050B | SINO-IC(光宇睿芯) | MOS(场效应管) | 1+:￥1.4933
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30+:￥1.0318
100+:￥0.9602
500+:￥0.9284
1000+:￥0.9127
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立创商城 | SE6050B | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W 类型：N沟道 | 1+:￥1.4621
10+:￥1.0723
30+:￥1.0006
100+:￥0.929
500+:￥0.8972
1000+:￥0.8815
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