SE60300GT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：230A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
SE60300GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）230A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W
类型N沟道
SE60300GT
SE60300GT及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SE60300GT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：230A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 340.80 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SE60300GT的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | SE60300GT | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：230A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道 | 1+:￥14.39
10+:￥10.64
30+:￥9.96
100+:￥9.27
500+:￥8.96
1000+:￥8.81
|