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RF1S70N03 / MOSFET
RF1S70N03的规格信息
RF1S70N03的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:70 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:I2PAK-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:25 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:20 ns

系列:RF1S70N03

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:20 ns

供应商RF1S70N03
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RF1S70N0370A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO588.3 Kbytes共6页RF1S70N03的PDF下载地址RFD16N03L,RFG70N06,RFG60P03,RFG45N06,RFP30N06LE,RFD3055,IRF530R,RF1K49086,RFP70N03,RF1K49088
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RF1S70N03Harris CorporationMOSFET N-CH 30V 70A TO262AA$1.48000
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RF1S70N03Harris CorporationM:F1S70N03500 : $2.92
1,000 : $2.78