制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:75000 mW

封装 / 箱体:TO-263AB-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:40 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:50 ns

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:30 ns