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RF1S25N06 / MOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/25a/0.047 Ohm
RF1S25N06的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:25 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:72 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:I2PAK-3

封装:Tube

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:22 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:30 ns

系列:RF1S25N06

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:14 ns

供应商RF1S25N06
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深圳市坤融电子有限公司RF1S25N06航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯幂科技有限公司RF1S25N06深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司RF1S25N06深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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RF1S25N0625A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO419.73 Kbytes共8页RF1S25N06的PDF下载地址RFP25N06,RFD16N06LESM,FSF055D,RFD16N06LE,RFP30N06LE,RFP30N06LE,HUFA76429P3,RFD3055LE,RFP45N06LE,HUFA76432P3
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RF1S25N06SMN-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1293.38 Kbytes共9页RF1S25N06SM的PDF下载地址
RF1S25N06的全球分销商及价格
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RF1S25N06Harris Corporation25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P$0.37000
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RF1S25N06SM9AHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET$0.63000
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RF1S25N06Harris CorporationM:F1S25N06500 : $0.74
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