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RF1S60P03SM / MOSFET
RF1S60P03SM的规格信息
RF1S60P03SM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:60 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:176 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:40 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:75 ns

系列:RF1S60P03

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:20 ns

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RF1S60P03SM60A, 30V, Avalanche Rated, P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO104.11 Kbytes共6页RF1S60P03SM的PDF下载地址RFP70N03,RFD16N03L,RFG45N06,RFG70N06,RFG60P03,RFP30N06LE,RFD3055,RLD03N06CLE,BSP170P,IRF530R
RF1S60P03SM60A, 30V, 0.027 Ohm, P-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO88.95 Kbytes共7页RF1S60P03SM的PDF下载地址STS6PF30L,RFG60P03,HUF76129D3,ISL9N7030BLP3,HUF76107P3,HUF76145P3,FSL9110D,RFD15P05,STS3C3F30L,HUF76129P3
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