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RF1S45N06LESM / MOSFET
RF1S45N06LESM的规格信息
RF1S45N06LESM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 10 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:142000 mW

封装 / 箱体:TO-263AB-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:90 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:150 ns

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:20 ns

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RF1S45N06LESM45A, 60V, 0.028 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO427.15 Kbytes共8页RF1S45N06LESM的PDF下载地址RFP30N06LE,HUFA76419D3,RLD03N06CLE,HUFA76419P3,RFG50N06LE,HUFA76423D3,RFP15N05L,RFD12N06RLE,HUFA76423P3,RFD14N06L
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