图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
Id-连续漏极电流:45 A
Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 10 V
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:142000 mW
封装 / 箱体:TO-263AB-3
商标:Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:90 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:150 ns
典型关闭延迟时间:55 ns
典型接通延迟时间:20 ns