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RF1S45N06SM / MOSFET
RF1S45N06SM的规格信息
RF1S45N06SM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:45 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:131000 mW

封装 / 箱体:TO-263AB-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:16 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:74 ns

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商RF1S45N06SM
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RF1S45N06SM45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO82.12 Kbytes共6页RF1S45N06SM的PDF下载地址RFP30N06LE,RFD3055,RFG70N06,RLD03N06CLE,RFD16N03L,RFP70N03,RFD15N06LE,RFP45N06LE,RFP30N06LE,IRF530R
RF1S45N06SM45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO73.85 Kbytes共8页RF1S45N06SM的PDF下载地址RFP45N06LE,RFG50N06,IRFD1Z0,RFP30N06LE,RFG45N06,HUFA76419D3,RFG50N06,RLD03N06CLE,HUFA76419P3,RFG50N06LE
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