制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:16.3 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V to 2 V

Id-连续漏极电流:15 A

最大漏极/栅极电压:55 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:522 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm

配置:Single

工作频率:2.9 GHz to 3.3 GHz

商标:Qorvo

开发套件:QPD1019EVB01

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:18

子类别:Transistors