制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:15.7 dB
晶体管极性:N-Channel
Id-连续漏极电流:20 A
输出功率:460 W
最大漏极/栅极电压:55 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:511 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置:Single
工作频率:3.1 GHz to 3.5 GHz
商标:Qorvo
开发套件:QPD1017PCB4B01
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:18
子类别:Transistors