制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:21 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Vgs-栅源极击穿电压 :145 V

Id-连续漏极电流:1.46 A

输出功率:8.7 W

最大漏极/栅极电压:55 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:13 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMD-8

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:30 MHz to 1200 MHz

系列:QPD1011

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:-

开发套件:QPD1011EVB01

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

零件号别名:QPD1011