制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:24.7 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Vgs-栅源极击穿电压 :145 V

Id-连续漏极电流:400 mA

输出功率:11 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:13.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-16

封装:Waffle

配置:Single

工作频率:4 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

系列:QPD

商标:Qorvo

开发套件:QPD1010-EVB1

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V

零件号别名:1132873

单位重量:2.300 g