制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:21.8 dB
晶体管极性:N-Channel
Id-连续漏极电流:1.7 A
输出功率:178 W
最大漏极/栅极电压:65 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:67 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFN-6
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
应用:Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置:Single Triple Drain
工作频率:1.2 GHz to 2.7 GHz
商标:Qorvo
开发套件:QPD1013EVB01
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors