制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:19 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:28 V
Vgs-栅源极击穿电压 :100 V
Id-连续漏极电流:817 mA
输出功率:24 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:28.8 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-8
封装:Tray
配置:Single
工作频率:30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围:- 40 C to + 85 C
系列:QPD
商标:Qorvo
开发套件:QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性:Yes
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V
零件号别名:1131140