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QPD1000 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
QPD1000的规格信息
QPD1000的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:19 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:28 V

Vgs-栅源极击穿电压 :100 V

Id-连续漏极电流:817 mA

输出功率:24 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:28.8 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-8

封装:Tray

配置:Single

工作频率:30 MHz to 1.215 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

系列:QPD

商标:Qorvo

开发套件:QPD1000PCB401, QPD1000PCB402

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V

零件号别名:1131140

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