制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

技术:GaN

增益:21.7 dB

Vds-漏源极击穿电压:-

Vgs-栅源极击穿电压 :-

Id-连续漏极电流:-

输出功率:45 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:-

Pd-功率耗散:45 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-20

封装:Cut Tape

封装:Reel

应用:Microcell Base Station, W-CDMA / LTE

配置:Single

工作频率:DC to 4 GHz

系列:QPD

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:-

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

零件号别名:1132528