PTP16N06N
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道
PTP16N06N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)55A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻17mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)85W(Tc)
类型N沟道
PTP16N06N
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PTP16N06N | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道 | PIP(丽隽) |  | 709.75 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
PTP16N06N的全球分销商及价格
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 立创商城 | PTP16N06N | PIP(丽隽) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.4168 10+:¥1.042 30+:¥0.9731 100+:¥0.9043 500+:¥0.8737 1000+:¥0.8586
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