PTP08N06N
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道
PTP08N06N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）110A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 24A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）156W(Tc)
类型N沟道
PTP08N06N
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| PTP08N06N | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道 | PIP(丽隽) |  | 538.84 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
PTP08N06N的全球分销商及价格
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立创商城 | PTP08N06N | PIP(丽隽) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.59
10+:￥1.94
30+:￥1.83
100+:￥1.71
500+:￥1.65
1000+:￥1.63
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