PTP02N04NB
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道
PTP02N04NB的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）120A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.1mΩ @ 24A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W(Tc)
类型N沟道
PTP02N04NB
PTP02N04NB及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| PTP02N04NB | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 | PIP(丽隽) |  | 773.71 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
PTP02N04NB的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | PTP02N04NB | PIP(丽隽) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥4.77
10+:￥3.57
30+:￥3.35
100+:￥3.12
500+:￥3.03
1000+:￥2.98
|