PTP02N04N
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道
PTP02N04N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2mΩ @ 80A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)300W(Tc)
类型N沟道
PTP02N04N
PTP02N04N的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | PTP02N04N | PIP(丽隽) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.73 10+:¥4.33 30+:¥4.07 100+:¥3.81 500+:¥3.7 1000+:¥3.64
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 立创商城 | PTP02N04NB | PIP(丽隽) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.77 10+:¥3.57 30+:¥3.35 100+:¥3.12 500+:¥3.03 1000+:¥2.98
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