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PTP03N04N /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道
PTP03N04N的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3mΩ @ 80A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300W(Tc)

类型N沟道

供应商PTP03N04N
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深圳市芯幂科技有限公司PTP03N04N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司PTP03N04N深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
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万三科技(深圳)有限公司PTP03N04N深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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PTP03N04N连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道PIP(丽隽)PIP(丽隽)的LOGO1.14 Mbytes共9页PTP03N04N的PDF下载地址
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PTP03N04NPIP(丽隽)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.65
10+:¥2.7
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