PTP04N04N
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道
PTP04N04N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）80A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 80A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W(Tc)
类型N沟道
PTP04N04N
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| PTP04N04N | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 | PIP(丽隽) |  | 865.67 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
PTP04N04N的全球分销商及价格
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立创商城 | PTP04N04N | PIP(丽隽) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.59
10+:￥1.94
30+:￥1.82
100+:￥1.7
500+:￥1.65
1000+:￥1.62
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