包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）280A

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）127nC @ 10V

Vgs（最大值）-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-

FET 功能-

功率耗散（最大值）164W

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳SOT-1023，4-LFPAK