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PSMN050-80BS,118 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PSMN050-80BS,118的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):633pF @ 12V

功率 - 最大值:56W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:568-9703-2934066206118PSMN050-80BS,118-NDPSMN05080BS118

供应商PSMN050-80BS,118
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13380394549
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PSMN050-80BS,118NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET800+:¥3.14
1600+:¥2.87
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20000+:¥2.34
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80000+:¥2.214800+:¥2.44
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24800+:¥2.3301
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PSMN050-80BS,118Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK$0.93000
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PSMN050-80BS,118NexperiaMOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET4,800:¥2.5651
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24,800:¥2.373
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1600+:¥2.87
2400+:¥2.61
5600+:¥2.42
20000+:¥2.34
40000+:¥2.24
80000+:¥2.214800+:¥2.44
9600+:¥2.42
24800+:¥2.3301
49600+:¥2.31
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PSMN050-80BS,118Nexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥6.87
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