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PSMN057-200B,118 /MOSFET TAPE13 MOSFET
PSMN057-200B,118的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:39 A

Rds On-漏源导通电阻:57 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.5 mm

长度:10.3 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.4 mm

商标:Nexperia

下降时间:78 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:58 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:105 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:/T3 PSMN057-200B

供应商PSMN057-200B,118
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集好芯城PSMN057-200B,118深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN057-200B,118深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAKNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO697.72 Kbytes共11页PSMN057-200B,118的PDF下载地址
PSMN057-200B,118连续漏极电流(Id)(25°C 时):39A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:57Ω @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO232.74 Kbytes共11页PSMN057-200B,118的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
PSMN057-200B,118NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品800+:¥11.0301
1600+:¥10.12
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ChipOneStop
PSMN057-200B,118NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品800+:¥11.0301
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
PSMN057-200B,118NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET1:¥13.6052
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元器件资料网-Verical的LOGO
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30+:¥7.69
100+:¥7.17
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