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PSMN070-200B / MOSFET
PSMN070-200B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:35 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

商标:NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:90 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:100 ns

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:22 ns

供应商PSMN070-200B
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PSMN070-200BN-channel TrenchMOS transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO149.77 Kbytes共12页PSMN070-200B的PDF下载地址PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W
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PSMN070-200B,118MOSFET N-CH 200V 35A D2PAKNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO762.80 Kbytes共12页PSMN070-200B,118的PDF下载地址
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1600+:¥10.12
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PSMN070-200BNXP USA Inc.35A, 200V, 0.07OHM, N-CHANNEL$1.09000
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