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PSMN102-200Y,115 /MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin
PSMN102-200Y,115的规格信息
PSMN102-200Y,115的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:21.5 A

Rds On-漏源导通电阻:102 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:113 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.1 mm

商标:Nexperia

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:29.5 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:14.2 ns

单位重量:86.100 mg

供应商PSMN102-200Y,115
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13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN102-200Y,115深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳和润天下电子科技有限公司PSMN102-200Y,115 MOS(场效应管)深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市博浩通科技有限公司PSMN102-200Y,115华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市芯奕科技有限公司PSMN102-200Y,115深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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深圳德泰威尔科技有限公司PSMN102-200Y,115上步工业区405栋30815766460736
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深圳市华芯盛世科技有限公司PSMN102-200Y,115深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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PSMN102-200Y,115MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-PinNexperiaNexperia的LOGO753.10 Kbytes共13页PSMN102-200Y,115的PDF下载地址无
PSMN102-200Y,115MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO332.93 Kbytes共13页PSMN102-200Y,115的PDF下载地址无
PSMN102-200Y,115连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.5A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：102mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113W 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO332.60 Kbytes共13页PSMN102-200Y,115的PDF下载地址无
PSMN102-200Y,115的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56$1.15000
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