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PSMN070-200B,118 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PSMN070-200B,118的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 17A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):77nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4570pF @ 25V

功率 - 最大值:250W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:D2PAK

其它名称:568-5953-2934055719118PSMN070-200B /T3PSMN070-200B /T3-NDPSMN070-200B,118-ND

供应商PSMN070-200B,118
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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PSMN070-200B,118NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品800+:¥11.0301
1600+:¥10.12
2400+:¥9.43
5600+:¥9.08
20000+:¥8.73
40000+:¥8.59
80000+:¥8.384800+:¥9.34
9600+:¥
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1600+:¥10.12
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5600+:¥9.08
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